اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی

Authors

حسن ربانی

h rabani 1. department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iran2. nanotechnology research center, shahrekord university, 8818634141, shahrekord, iran1. گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد2. مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد محمد مردانی

m mardaani 1. department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iran2. nanotechnology research center, shahrekord university, 8818634141, shahrekord, iran1. گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد2. مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد سمانه مقبل

s moghbel 1. department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iran2. nanotechnology research center, shahrekord university, 8818634141, shahrekord, iran1. گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

abstract

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در انرژی صفر، تغییر می کند. به خصوص در نانو سیم پلی استیلنی این تغییرات بیشتر مشاهده می شود. میزان جابه جایی مکان ضد تشدیدها در طیف رسانش، نسبت به تغییر محل نقص پیوندی نیز قویاً به نوع و شکل ساختار سامانه مرکزی وابسته است.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

تاثیر میدان مغناطیسی بر روی رسانش الکتریکی در نانوساختارهای حلقوی

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

15 صفحه اول

بررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه‌ای

در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره‌ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می‌شود، بررسی می‌شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک‌ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی‌های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی‌های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن‌ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...

full text

رسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

full text

رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

full text

رسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

full text

My Resources

Save resource for easier access later


Journal title:
پژوهش فیزیک ایران

جلد ۱۶، شماره ۲، صفحات ۲۲۵-۲۳۰

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023